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技术研发
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技术要求

利来国际www.66.com www.lasercarereno.com 1.95%氧化铝:

1.采用高纯氧化铝,产品性能符合GB5593-96要求;

2.产品采用冷等静压成型工艺;

3.抗折强度:≥300MPa ;体积密度:≥3.65g/cm3 ;介电常数:10GHZ 20℃ 9-10.5 ;体积电阻率:500℃≥108Ω.cm ;击穿强度:≥20KV/mm ;线膨胀系数:20℃-800℃ 6.5-8*10-6/℃;化学稳定性:1:9HCL≤7.0mg/cm2 ,10%NaOH≤0.2mg/cm2;

4.未注公差尺寸的极限偏差按SJ/T10742-1996中8级。

2.氮化硅

1.采用冷等静压成型工艺,气压烧结;

2.体积密度:3.15-3.25g/cm3;抗弯强度:室温下700-1000MPa;体积电阻率:20℃≥1014/?.cm,击穿强度:≥20KV/mm;线膨胀系数:20℃-800℃ 3.1-3.3*10-6/℃;

3.工件表面清洁,不允许有飞溅等异物;

4. 未注机械加工表面的线性尺寸极限偏差按GB/T1804-2000中规定的M级。

3.99%氧化铝

1.采用高纯超细氧化铝粉,产品性能符合GB5593-96要求;

2.产品采用冷等静压成型工艺;

3. 抗折强度:≥320MPa ;体积密度:≥3.75g/cm3 ;介电常数:10GHZ 20℃ 9-10.5 ;体积电阻率:500℃≥109Ω.cm ;击穿强度:≥20KV/mm ;线膨胀系数:20℃-800℃ 6.5-8*10-6/℃;化学稳定性:1:9HCL≤0.7mg/cm2 ,10%NaOH≤0.1mg/cm2;

4.未注公差尺寸的极限偏差按SJ/T10742-1996中8级。

4.99.5%氧化铝

1.采用高纯超细氧化铝粉,产品性能符合GB5593-96要求;

2.产品采用冷等静压成型工艺;

3. 抗折强度:≥350MPa ;体积密度:≥3.85g/cm3 ;介电常数:10GHZ 20℃ 9-10.5 ;体积电阻率:500℃≥1010Ω.cm ;击穿强度:≥20KV/mm ;线膨胀系数:20℃-800℃ 6.5-8*10-6/℃;化学稳定性:1:9HCL≤0.7mg/cm2 ,10%NaOH≤0.1mg/cm2;

4.未注公差尺寸的极限偏差按SJ/T10742-1996中8级。



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